ADI公司的LTC7890和LTC7891是高性能的双降压DC/DC开关调节器控制器，可从高达100 V的输入电压驱动所有n通道同步氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级。它们解决了传统上使用GaN场效应管时面临的许多挑战。LTC7890和LTC7891简化了应用设计，与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)解决方案相比，不需要保护二极管或额外的外部元件。

内部智能自引导开关防止BOOSTx引脚在死区期间过度充电到SWx引脚高位驱动电源，保护顶部GaN场效应管栅极。LTC7890和LTC7891在内部优化两个开关边的栅极驱动器时序，以实现智能的接近零死区时间，显着提高效率并允许高频工作，即使在高输入电压下也是如此。或者，用户可以调整死区时间与外部电阻的余量或定制的应用。

LTC7890和LTC7891的栅极驱动电压可以从4 V精确调节到5.5 V，以优化性能，并允许使用不同的GaN场效应管甚至逻辑级mosfet。

演示电路DC2938A是一个双输出非隔离同步降压转换器，驱动所有n沟道GaN FET功率级。DC2938A采用LTC7890，这是一个低静态电流高频(可编程固定频率从100 kHz到3 MHz)双降压DC/DC同步控制器，具有用于GaN场效应管的专用驱动器功能，封装在一个小型6 mm × 6 mm QFN封装中。

演示电路DC2995A是采用LTC7891的降压稳压器。DC2995A工作在36v到72v的输入电压范围内，产生 12v, 20a输出。LTC7891具有精确的参考电压，在整个工作条件下可以产生2%公差的输出电压。 500khz的开关频率使电路体积小，效率高。该变换器在负载为20 A时效率达到96%以上。