罗姆半导体R6049YN n沟道功率mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-10-10

摘要： 为开关应用提供高速开关和低导通电阻。

ROHM Semiconductor R6049YN n沟道功率mosfet为开关应用提供高速开关和低导通电阻。这些单通道增强模式器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有600V漏源击穿电压，±22A或±49A连续漏极电流和65nC总栅极电荷。ROHM R6049YN n沟道功率mosfet有TO-220AB-3、TO-220FM-3和TO-247G-3封装选项。

特性

低导通电阻
快速切换
驱动电路可以很简单
如果技术

增强通道模式
通孔安装
无卤模具化合物
无铅电镀，符合rohs标准

规范

600V漏源击穿电压
±22A或±49A连续漏极电流
±147A脉冲漏极电流
82毫欧漏源通电阻
±30V栅源电压
4V至6V门源阈值电压范围
100μA最大零栅电压漏极电流
±100nA最大栅源漏电流
最大源电流49A
1.5V最大源漏电压
1.0欧姆典型栅电阻
6.5μC典型反向恢复电荷
34A典型峰值反向恢复电流
典型栅电荷

65数控总
21数控源
30数控排水

7V典型栅平台电压

功耗90W或448W
典型的电容

100pF能量相关
650pF时间相关
2940 pf输入
100 pf输出
有效的输出

单脉冲雪崩

2.8电流
208年乔丹能源

典型的时间

38ns导通延迟
33 ns上升
关闭延迟91ns
19 ns下降
380ns反向恢复

-55℃~ +150℃工作温度范围
TO-220AB-3, TO-220FM-3和TO-247G-3封装选项

数据表

R6049YNX
R6049YNX3
R6049YNZ4

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