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摘要： 2EDB8259F和2EDBx259Y设计用于驱动Si和SiC mosfet和GaN HEMT功率开关。
英飞凌EiceDRIVER 2EDB栅极驱动ic包括2EDB8259F和2EDBx259Y，设计用于驱动Si和SiC mosfet和GaN HEMT功率开关。该系列双通道隔离栅驱动ic采用DSO封装，输入输出漏电面积为4mm，采用片上无芯变压器(CT)技术实现初级隔离。14引脚DSO封装中的2EDBx279Y变体提供了更大的通道间爬电。该器件适用于具有较高总线电压或污染程度的应用，通常可以简化PCB布线。
英飞凌EiceDRIVER 2EDB栅极驱动ic提供可选的穿透保护(STP)和死区时间控制(DTC)功能。该功能允许作为双通道低侧、双通道高侧或具有可配置死区时间的半桥栅极驱动器运行。该元件具有优异的共模瞬态抗扰度(CMTI)、低局部斜向和快速信号传播，是快速开关功率转换系统的理想选择。
用于Si和SiC mosfet和GaN HEMT功率开关的2通道隔离栅驱动器
快速输入输出传播(38ns)，具有优异的稳定性(+9/-5ns)
5A/9A源/汇强输出级
快速输出箝位V(DDA/B)小于UVLO
快速的UVLO恢复时间(小于2μs)
4V, 8V, 15V (DDA/B) UVLO选项
CMTI大于150V/ns
提供16/14引脚150mil DSO封装
服务器，电信SMPS
EV车载充电器
低压驱动和电动工具
太阳能微型逆变器，太阳能优化器
工业电源(SMPS，住宅UPS)
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