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摘要： 具有x8总线宽度和所有密度的引脚兼容性的Nand接口。
Alliance Memory AS9F Nand闪存具有具有x8总线宽度和所有密度的引脚兼容性的Nand接口。这些存储器的NAND单元为固态大容量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。这些Nand闪存被分成独立擦除以保存有效数据的块。AS9F Nand闪存在SLC Nand器件中包含1024/2048块。这些AS9F存储器数据可以以每字节25ns(3.3V)/45ns(1.8V)的周期时间读出。Nand闪存具有正常状态寄存器，无需外部缓冲的快速数据复制和内部缓冲以提高读取吞吐量。这些AS9F Nand闪存工作在-40°C至85°C的工业温度范围内，3.3V器件的供电范围为2.7V至3.6V, 1.8V器件的供电范围为1.7V至1.95V。
1 gbit / 2 gbit / 4 gbit / 8 gbit密度
x8总线宽度NAND接口和所有密度的引脚兼容性
63球FBGA (9mm × 11mm × 1mm)封装
ONFI 1.0兼容命令集
在电源转换期间程序/擦除锁定(硬件数据保护)
正常状态寄存器
提高读吞吐量的内部缓冲区
无需外部缓冲的快速数据复制
OTP/唯一标识区
读取ID2扩展
符合RoHS指令
2.7V至3.6V供电范围，适用于3.3V设备
1.7V至1.95V供电范围，适用于1.8V设备
-40℃至85℃工业温度范围
-40°C至105°C汽车2级温度范围
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