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摘要： 该器件设计用于驱动高达1700V的SiC mosfet和igbt。
德州仪器UCC21717-Q1隔离单通道栅极驱动器设计用于驱动高达1700V的SiC mosfet和igbt。它具有先进的综合保护，一流的动态性能和鲁棒性。UCC21717-Q1具有高达±10A的峰值源和汇电流。输入端与输出端采用SiO(2)电容隔离技术隔离，支持高达1.5kV(RMS)的工作电压，12.8kV(PK)的浪涌抗扰度，隔离屏障寿命超过40年，同时提供低部分对部分偏度，大于150V/ns的共模抗扰度(CMTI)。
德州仪器UCC21717-Q1包括最先进的保护功能，如快速过流和短路检测、分流电流传感支持、故障报告、有源米勒钳和输入和输出侧电源UVLO，以优化SiC和IGBT开关行为和鲁棒性。隔离模拟PWM传感器可用于更容易的温度或电压检测，增加驱动器的多功能性，简化系统设计工作，尺寸和成本。
5.7kV(RMS)单通道隔离栅驱动器
AEC-Q100符合汽车应用要求
设备温度等级0(环境工作温度范围-40℃~ +150℃)
设备HBM ESD分类等级3A
设备CDM ESD分类等级C6
功能安全及品质管理
可提供的文件，以帮助功能安全系统的设计
高达2121V(pk)的SiC mosfet和igbt
最大输出驱动电压(V(DD)-VEE)
±10A驱动强度和分路输出
最小CMTI 150V/ns
270ns响应时间快速过流保护
4A内有源米勒钳
故障状态下400mA软关断
隔离模拟传感器与PWM输出
温度传感与NTC, PTC，或热二极管
高压直流或相电压
过电流报警FLT，从RST/EN复位
禁用带有RST/EN的设备会触发软关断
抑制输入引脚上小于40ns的瞬态噪声和脉冲
12V V(DD) UVLO，电源在RDY上良好
输入/输出过/欠射瞬态电压抗扰度高达5V
130ns(最大)传播延迟和30ns(最大)脉冲/部分偏斜
漏电和间隙大于8mm的SOIC-16 DW封装
工作结温-40℃~ 150℃
电动汽车牵引逆变器
车载充电器和充电桩
用于HEV/ ev的DC/DC转换器
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