摘要: ISSI的DDR3 DRAM可选密度从1gb到16gb,并具有长期支持。
ISSI的DDR3在各种需要高速外部存储器的应用中实现。DDR3/3L接口得到了大多数领先的片上系统(SoC)制造商的支持,如Ambarella、Analog Devices、Intel、Microsemi、NXP、TI、Renesas、意法半导体和AMD。ISSI提供广泛的DDR3和DDR3L DRAM,从1gb到16gb。
DDR3/3L也获得了巨大的牵引力,由于其性能的进步和它的有用的功能。DDR3的最大数据速率是DDR2的两倍多,但与DDR2相比,DDR3的功耗更低。DDR3还具有动态控制和校准输出阻抗缓冲器的可调模内端接(ODT)。DDR3支持飞通拓扑,允许多个DRAM模块轻松放置在电路板上,同时降低潜在的开关噪声。DDR3可以设置为DLL禁用模式,以便在低时钟频率下进行内存访问以进行测试或调试,并添加复位输入以增加稳定性。
供电电压为1.5 V或1.35 V
提供的密度:1gb、2gb、4gb、8gb和16gb
提供的数据速率:1,600 Mbps到2,133 Mbps(向后兼容较慢的时钟频率)
双向差分数据频闪
写命令上每个字节的数据屏蔽
工业:
人机界面
嵌入式计算
工业控制
目标消费者:
相机
物联网设备
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