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摘要： 采用先进的沟栅场止动结构设计。
意法半导体STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT采用先进的沟槽栅场止动结构设计。H系列的意法半导体STGD4H60DF igbt平衡导通和开关效率，使其成为高频转换器的理想选择。该器件还提供略为正的V(CE(sat))温度系数和一致的参数分布，以确保更安全的并联操作。
T(J) = 175℃最高结温
低电压(CE(sat)) = 1.6V (type .) @ I(C) = 4A
严密的参数分布
低热阻
短路额定
软和快速恢复反并联二极管
工业电机控制
洗碗机
冰箱和冰柜
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