Analog Devices公司的HMC8411LP2FE是一款砷化镓(GaAs)、单片微波集成电路(MMIC)、伪晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、低噪声宽带放大器，工作频率为0.01 GHz至10 GHz。它的典型增益为15.5 dB，典型噪声系数为1.7 dB，典型输出三阶截距(OIP3)为34 dBm，仅需55 mA的5v电源电压。19.5 dBm(典型)的饱和输出功率(P(SAT))使低噪声放大器(LNA)能够作为许多Analog Devices的平衡、同相/正交(I/Q)或图像抑制混频器的本地振荡器(LO)驱动器。

HMC8411LP2FE还具有内部匹配50 欧姆的输入和输出，使该器件非常适合基于表面贴装技术(SMT)的高容量微波无线电应用。它被封装在符合RoHS标准的2 mm × 2 mm 6引线LFCSP中。EV1HMC8411LP2F评估板是采用罗杰斯4350制造的2层板，并采用高频射频设计的最佳实践。射频输入和射频输出走线的特性阻抗为50 欧姆。