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摘要： 提供更低的开关损耗，更高的效率，减少散热器，并增加功率密度。
SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET可与碳化硅肖特基二极管组合使用，以实现最佳性能，而无需与硅器件进行权衡。该MOSFET提供更低的开关损耗、更高的效率、更少的散热和更高的功率密度。GP2T020A120H MOSFET具有高速开关、更长的爬电距离、564W功耗、800mJ单脉冲雪崩能量等特点。该MOSFET非常适合从事电动汽车充电，工业控制和HVAC系统的设计人员。典型应用包括功率因数校正、DC-DC变换器一次开关和同步整流。
高速开关
可靠体二极管
所有部件测试电压均大于1400V
用于栅极驱动的驱动器源引脚
低电容
更高的效率
更低的开关损耗
更长的爬电距离
漏源电压1200V
564W功耗
800mJ单脉冲雪崩能量
0.8欧姆栅极输入电阻
3.6V二极管正向电压
工作温度范围-55℃~ 175℃
太阳能逆变器
开关电源
不间断电源(ups)
感应加热和焊接
电动汽车充电站
高压DC/DC变换器
马达驱动器
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