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摘要： 在优化系统效率的同时，降低了开关损耗和门环。
Wolfspeed C3M0025065L C3M 碳化硅功率MOSFET可降低开关损耗和栅极环，同时优化系统效率。C3M0025065L在增强型封装中实现了第三代SiC MOSFET技术，具有单独的驱动源引脚。Wolfspeed C3M0025065L MOSFET为数据中心和电信电源提供低容量的高速开关。
第三代SiC MOSFET技术
优化封装与单独的驱动源引脚
高阻断电压，低导通电阻
低电容的高速开关
低反向恢复(Q(rr))的快速本禀二极管
无卤素，符合RoHS标准
数据中心电源
电信电源
储能系统
太阳能(PV)逆变器
高压DC/DC变换器
漏源电压650V
-8V/+19V栅源电压
77A时T(C) = +25℃连续漏极电流，V(GS) = 15V
235A脉冲漏极电流
326W功耗
结温范围-40°C至+175°C
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