摘要: 采用单芯片MMC控制器和NAND闪存的紧凑存储解决方案。
Alliance Memory ASFC系列5.1 e·MMC是一种紧凑型存储解决方案,具有单芯片MMC控制器和NAND闪存。Alliance Memory ASFC专为数据存储和启动而设计,优先考虑低功耗下的高效读取操作。3D TLC NAND技术为要求苛刻的工业用途提供了增强模式(pSLC),并得到工业温度等级规范的支持。·MMC控制器处理NAND闪存管理,包括ECC,损耗均衡,IOPS优化和读取传感。该设备支持大数据传输的高吞吐量,并且擅长处理代码中经常发现的小随机数据。此外,它还包括安全特性、多个引导分区和用于读取密集型应用程序的高级刷新。通信通过11个信号总线,遵循JEDEC e·MMC标准,称为e·MMC模式。
FW算法优化
监控数据(联盟专有,可通过标准e·MMC命令访问)
可中断的后台进程维护用户数据,以防止读取干扰效应或由于高温效应导致的保留退化
监控每个区域的读取命令,并在出现临界级别时有条件地刷新内容
静态和动态数据的均匀磨损
磨损均衡确保动态数据和静态数据在内存中均匀平衡
这样可以确保设备的最大写入持久性
断电数据丢失保护
磨平技术
读取干扰管理
自动读取刷新
根据e·MMC规范5.1提供设备运行状况报告的诊断功能,以及详细的生命周期
根据e·MMC规范5.1进行现场固件更新
丢弃和消毒,修剪
启动操作模式和备选启动操作模式
重放保护内存块(RPMB)
完全符合JEDEC·MMC 5.1标准(JESD84-B51)
153球BGA, 0.5mm间距,11.5mm x 13mm,符合RoHS标准
3D TLC NAND基础技术
根据e·MMC规范5.1,用户可配置多个3D TLC或增强/可靠模式分区
高性能e·MMC 5.1规范
11线总线(时钟,数据频闪,1位命令,8位数据总线)和硬件复位
三种不同的数据总线宽度模式:1位(默认)、4位和8位
时钟频率0-200MHz,高速模式HS400
命令队列功能符合e·MMC规范5.1
高达300MB/s的顺序读和高达230MB/s的顺序写
(低功耗CMOS技术)电源
VCCQ 1.7V至1.95V或2.7V至3.6V e·MMC电源/ VCC 2.7V至3.6V NAND Flash电源
32GBytes、64GBytes、128GBytes容量
工业工作温度-40℃~ 85℃
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