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摘要： 具有低功耗和自动预充电选项，每次突发访问。
金士顿LPDDR4 DRAM器件具有低功耗和每次突发访问的自动预充电选项。这些DRAM设备提供DMI引脚支持写数据屏蔽和DBIdc功能。LPDDR4 DRAM器件采用FBGA-200封装，芯片密度为8gb。这些DRAM器件具有自动温度补偿自刷新(ATCSR)功能，通过内置温度传感器和每次银行刷新。LPDDR4器件工作温度范围为-25℃~ 85℃，最高时钟频率为1.6GHz，电源电压范围为1.06V ~ 1.95V。
低功耗
每次银行刷新
部分阵列自刷新(PASR)
银行屏蔽
段屏蔽
fbga - 200包
自动温度补偿自我刷新(ATCSR)内置温度传感器
支持所有银行自动刷新和定向每个银行自动刷新
Double-data-rate架构;每一个时钟周期传输两次数据
可编程RL(读时延)和WL(写时延)
自动预充选项，每次突发访问
可编程驱动强度
自动刷新和自刷新
8192个周期/32ms刷新周期
DMI引脚支持写数据屏蔽和DBIdc功能
1.6GHz最大时钟频率
1.06V至1.95V电源电压范围
8gb和16gb内存
工作温度范围-25℃~ 85℃
存储温度范围-55℃~ 125℃
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