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摘要： 采用高度可重复的D-pHEMT和E-pHEMT技术设计，封装尺寸为1.4mm x 1.2mm。
TAV1-331NM+和TAV1-541NM+晶体管采用高度可重复的D-pHEMT和E-pHEMT技术设计，封装尺寸为1.4mm x 1.2mm。晶体管具有低噪声系数，高增益和高输出IP3，这使它们成为通信系统中敏感接收器的理想选择。TAV1-331NM+和TAV1-541NM+晶体管提供非铁质封装引线框架，用于MRI和其他磁敏感应用。这些晶体管还用于5G MIMO无线电系统、Wi-Fi 6、战术无线电和正交频分复用(OFDM)应用。
tav1 - 331 nm +
有色金属材料
低噪音指数
高增益
高输出IP3
弱电流
需要外部偏置和匹配
替代Broadcom ATF-331M4
tav1 - 541 nm +
有色金属封装引线框架
低噪音指数
高增益
高输出IP3
单电源电压
宽的带宽
核磁共振成像
供应管理协会(ISM)
5G MIMO无线电系统
wi - fi 6
战术无线电
OFDM(仅限TAV1-331NM+)
tav1 - 331 nm +
10MHz至4000MHz频率范围
0.5dB至1dB的典型噪声系数范围
24.7dB至12.3dB典型增益
19.7dBm至21.5dBm的典型输出功率在1dB压缩
50dB至22dB典型隔离
6.1dB至16.5dB典型输出回波损耗
总功耗400mW
-40℃~ +85℃工作温度范围
-65℃~ +150℃存储温度范围
tav1 - 541 nm +
45MHz ~ 6000MHz频率范围
0.5dB至1.7dB典型噪声系数
24.1dB至8.9dB典型增益
在1dB压缩时，20.3dBm至20.8dBm的典型输出功率
典型隔离度为27.8dB至21.8dB
9.8dB至15.3dB典型输出回波损耗
总功耗360mW
-40℃~ +85℃工作温度范围
-65℃~ +150℃存储温度范围
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