当碳化硅(SiC)半导体用作开关时，在保持高可靠性的同时，允许更高的工作温度和开关频率，从而提高了整个系统的效率。英飞凌的1200V SiC MOSFET模块系列提供卓越的栅极氧化物可靠性，这得益于其最先进的沟槽设计。

这些电源模块封装在行业标准的EASY封装中，可以根据不同的应用需求进行定制，并提供各种R(DSon)电平和电路配置，如3级，半桥接或6包。所有EasyPACK 和EasyDUAL MOSFET功率模块都可以预先应用热界面材料(TIM)订购，并提供其他功能。采用高性能氮化铝(AlN)陶瓷的Easy模块特别提高了R(thJH)的热性能。

与硅(Si)相比，宽禁带碳化硅(SiC)半导体具有更高的突破电场、更显著的导热性、更高的电子饱和速度和更低的本征载流子浓度等优点。基于SiC材料的这些优势，SiC mosfet可用于高功率应用的开关晶体管，例如用于车载/车载电动汽车(EV)充电器的太阳能逆变器。

好处

·更高频率运行
·增加功率密度
·效率最高，减少冷却努力
·降低系统和操作成本

主打产品

FF4MR12W2M1H_B70
·双配置
·简易2B外壳
·v (dss) = 1200v
·i (dn) = 200a / i (drm) = 400a
·低电感设计
·低开关损耗
·高电流密度
·改进的陶瓷基板
·集成NTC温度传感器
·按fit接触技术
·坚固的安装由于集成安装夹具

FF4MR12W2M1H_B11
·v (dss) = 1200v
·i (dn) = 200a / i (drm) = 400a
·低开关损耗
·低电感设计
·高电流密度
·坚固的安装由于集成安装夹具
·按fit接触技术
·集成NTC温度传感器

FF6MR12W2M1_B70
·高电流密度
·低电感设计
·低开关损耗
·集成NTC温度传感器
·按fit接触技术
·坚固的安装由于集成安装夹具
·改进的陶瓷基板

FF6MR12W2M1H_B11
·v (dss) = 1200v
·i (dn) = 150a / i (drm) = 300a
·低开关损耗
·低电感设计
·高电流密度
·坚固的安装由于集成安装夹具
·按fit接触技术
·集成NTC温度传感器