瑞萨电子RX23E-B mcu的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-12-12

摘要： 具有增强的内置模拟前端(AFE)，专为工业传感器设备设计

瑞萨电子RX23E-B mcu具有专为工业传感器设备设计的增强型内置模拟前端(AFE)。瑞萨电子RX23E-B具有24位delta-sigma a /D转换器，可提供改进的高速和噪声性能，最大数据速率为125kSPS。RMS噪声降低到RX23E-A的约1/3，允许精确和快速测量应变，温度，压力，流量，电流，电压等。此外，RX23E-B集成了一个16位D/ a转换器和一个+/-10V高压模拟信号输入电路，最大限度地减少了物料清单(BOM)和占地面积。

CPU采用RXv2内核，确保出色的数字信号处理(DSP)/浮点单元(FPU)操作，在单芯片上实现高精度的测量、控制和通信。

特性

模拟前端(AFE)

24位delta-sigma A/D转换器，集成可编程增益放大器，高达24位有效分辨率，数据速率3.8SPS至125kSPS, 4nV/°C失调漂移，1ppm/°C增益漂移
5V模拟输入，8个差分输入，16个单端输入
±10V模拟输入，2路差分输入，4路单端输入
16位D/A转换器，DNL =±1LSB, INL =±5LSB
低温漂移10ppm/°C具有优异的温度稳定性参考电压源
匹配的可编程电流源，理想的测量3线电阻温度探测器励磁电流源