masterergan1l / masterergan4l 600v半桥式驱动器的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-12-18

摘要： 意法半导体的MASTERGAN1L和MASTERGAN4L是600 V半桥驱动器，采用GaN HEMT SiP，可改善待机功耗。

MASTERGAN1L

意法半导体的MASTERGAN1L和MASTERGAN4L是采用GaN HEMT SiP的600 V半桥驱动器，与MasterGaN1相比，其待机功耗更低，支持更高的开关频率。

masterergan1l和masterergan4l的一个关键特点是紧凑性。由于GaN开关频率更高，驱动器和GaN开关高度集成在同一封装中，因此可以实现比基于MOSFET开关的电源小四倍的高功率密度电源。MASTERGAN1L和MASTERGAN4L具有针对GaN HEMT优化的离线驱动器的鲁棒性，可实现快速，有效，安全的驾驶和简化布局。分立GaN开关的易于设计管理可能很困难，但嵌入式驱动器管理GaN开关，简化了电源设计。

特性

降低BOM成本
效率
鲁棒性
简化电路板布局
电源系统级封装(SiP)集成
半桥驱动和GaN晶体管

输入引脚张力兼容宽电压范围，不受器件V(CC)影响
3.3 V至15v兼容输入
自动联锁管理
联锁功能

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