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摘要： 高效二极管和负载开关控制器与反向输入保护。
Kinetic Technologies KTS1900理想二极管和负载开关控制器是具有反向输入保护的高效二极管和负载开关控制器。Kinetic Technologies KTS1900采用内部电荷泵，使低导通电阻n沟道MOSFET取代肖特基二极管或p沟道MOSFET解决方案。此外，它支持使用两个背靠背的mosfet进行负载切换和浪涌控制。KTS1900在4V至60V的宽输入电压范围内工作，适合各种电信和服务器应用。
4V至60V宽输入工作范围
反向电压保护，以60V的要求与合适的TVS二极管
ESD评级
HBM:±2千伏
清洁发展机制:±750 v
控制器和MOSFET驱动器适用于单个MOSFET进行反向保护，两个背靠背MOSFET，一个反向
1μA关断电流
内部电荷泵用于外部高侧n沟道MOSFET驱动
另一个用于负载切换和浪涌控制
MOSFET栅极驱动器1.5A/30μA的吸收/源电流能力
EN引脚用于启用/禁用控制器
110μA工作静态电流
500ns反向保护响应时间
小型6针SOT23封装(2.9mm x 1.6mm)
反向电源保护
电信/服务器/网络系统
电池和系统保护
冗余电力系统
工业和医疗系统
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