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摘要： 尽管VF值较低，但这些二极管即使在较高温度下也能提供稳定的性能。
ROHM半导体YQx高效肖特基势垒二极管设计用于改善低V(F)和低I(R)之间的权衡。尽管V(F)值较低，但即使在较高温度下，这些器件也始终提供稳定的性能。这些高效率的功率模型肖特基势垒二极管具有沟槽MOS结构。YQx肖特基势垒二极管提供100V反向电压，高可靠性和低电容。这些器件是开关电源、自由轮二极管和反极性保护应用的理想选择。
高可靠性
低V(F)和低I(R)
小功率模具类型
沟槽MOS结构
低的功放
低功耗
高温下工作稳定
AEC-Q101型号可供选择
开关电源
随心所欲二极管
反极性保护
汽车(选定车型)
100V反向直流电压(V(R))
100V重复峰值反向电压(V(RM))
175℃结温(T(j))
-55℃~ 175℃储存温度(T(stg))
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