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摘要： 提供低导通电阻，快速开关，符合RoHS标准。
ROHM Semiconductor R8019KNXC7G Nch 800V 19A功率MOSFET是一种具有快速开关的低导通电阻器件。该功率MOSFET具有0.265欧姆 R(DS(on))(最大值)，83W功耗，工作温度范围为-55°C至150°C。R8019KNXC7G Nch 800V 19A采用无铅电镀，符合RoHS标准。这种功率MOSFET具有并联使用，易于使用，是开关应用的理想选择。
低导通电阻
快速切换
并行使用很容易
Pb-free镀
通过无铅认证
800V(DSS)漏源电压
±19A连续漏极电流
0.265欧姆R (DS(上)(最大)
83W功耗
工作温度范围-55℃~ 150℃
切换
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