CPC3981Z系列n沟道耗尽型MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-01-11

摘要： 来自Littelfuse Technology公司IXYS的CPC3981Z n沟道耗尽型MOSFET，在SOT-223-2L中具有800 V阻断电压和3.3 mm爬电距离。

来自Littelfuse Technology公司IXYS的CPC3981Z MOSFET在没有电源存在时提供闭合开关功能，例如在电路上电或断电期间，这可能具有挑战性。n沟道耗尽型mosfet通常位于通过施加负栅源电压关闭的器件上。CPC3981Z是一款独特的800 V阻塞电压n沟道耗尽型MOSFET，采用SOT-223-2L封装，爬电距离最小为3.3 mm。

好处

更容易的热管理
紧凑的安排在宽输入电压电源
简化隔离管理
更低的功率损耗

电信
电力供应
当前的监管机构

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