集成驱动器的TP44200NM GaN场效应管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-01-11

摘要： Tagore的TP44200NM是GaN FET和驱动器的单片集成。

Tagore的TP44200NM是GaN FET和驱动器的单片集成。180 毫欧， 650 V GaN HEMT器件具有集成驱动电路。驱动器的单片集成最大限度地减少了门回路中的电感，即使在高压、高频操作中也能实现安全、干净的开关，使应用更高效、更可靠，并减小了磁性元件的尺寸。当V(DD)电压低于其阈值电压时，UVLO功能将关闭HEMT。专有的dv/dt保护电路保护HEMT即使在没有V(DD)电源的情况下也不会受到漏源dv/dt引起的误导。V(REG)和RG之间的外部电阻允许控制漏极电压转换率，以获得最佳的EMI性能。

特性

UVLO保护
零反向恢复
无论有无驱动电源，Dv /dt抗扰度均可
低传播延迟高达2兆赫操作

移动充电器和笔记本电脑适配器
PFC应用(图腾柱和标准)
一般单场效应管开关或半桥对

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