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摘要： 提供一流的开关性能，并具有抗寄生导通的鲁棒性。
英飞凌CoolSiC 汽车1200V G1 SiC沟槽mosfet提供更高的功率密度、更高的效率和更高的可靠性。粒状产品组合采用to -247-3pin, to -247-4pin和D2PAK-7pin封装的1200V SiC mosfet, R(DS(on))范围为8.7毫欧至160毫欧， ID为+25°C，最大17A至205A。高功率密度、卓越效率、双向充电能力以及显著降低的系统成本使英飞凌科技1200V汽车CoolSiC MOSFET模块成为车载充电器和DC-DC应用的理想选择。TO和SMD组件还配备了开尔文源引脚，以优化开关性能。
革命性的碳化硅半导体材料
极低的开关损耗
增加导通电压V(GS(on)) 20V
兼容igbt驱动电压
0V关断栅极电压
基准栅极阈值电压V(GS(the)) = 4.5V
一流的开关能量
器件电容低
无阈值on-state特性
与温度无关的关断开关损耗
.XT模具贴附技术，具有一流的热性能
完全可控的dv/dt
用于优化开关性能的检测引脚
适用于高压漏电要求
细引线，减少焊接桥的风险
整流稳健体二极管，准备同步整流
-55℃~ +175℃工作温度范围
无铅，无卤，符合rohs标准
车载充电器和pfc
助推器和DC/DC转换器
辅助逆变器
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