ROHM半导体RQ3L060BG功率MOSFET的介绍、特性、及应用 - 华强商城

电子元器件产业互联网平台

焦点资讯商城动态独家观点业界资讯行情分析

技术方案 DataSheet 传感器连接器

国内展会商城促销视频

原厂资讯原厂专区合作入驻

您所在的位置：首页 > 技术资料 > 技术方案 > ROHM半导体RQ3L060BG功率MOSFET的介绍、特性、及应用

ROHM SEMICONDUCTOR RQ3L060BG

ROHM半导体RQ3L060BG功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-01-22

摘要： 特性VDSS 60V，±15.a ID, 38毫欧低导通电阻(RDS(on))， 14W功耗。

ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET具有60V漏源电压(V(DSS))和±15.a连续漏极电流。该n沟道MOSFET提供38毫欧低导通电阻(R(DS(on)))和14W的功耗。RQ3L060BG MOSFET工作在-55°C至150°C的工作结和存储温度范围内，采用无卤素，大功率小模具封装(HSMT8)。这款符合rohs标准的设备包含无铅电镀。典型应用包括开关、电机驱动和DC/DC转换器。

特性

低导通电阻
大功率小模具封装(HSMT8)
无铅电镀，符合rohs标准

无卤素
100% Rg和ui测试

规范

60V漏源电压(V(DSS))
门源电压(V(GSS))
-55°C至150°C工作结和存储温度范围

38 毫欧R (DS(上)(最大)
±15.a连续漏极电流(I(D))
14W功耗

应用程序

切换
马达驱动器

直流/直流转换器

内部电路

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：ROHM Semiconductor BD83816EFV-M 16ch LED驱动IC的介绍、特性、及应用

下一篇：联盟存储器MT46H汽车LPDDR SDRAM的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号经营许可证：粤B2-20210308