英飞凌CoolSiC 汽车用750V G1 SiC沟槽mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-01-24

摘要： 帮助电动汽车制造商生产11kW和22kW双向车载充电器。

英飞凌凌CoolSiC 汽车用750V G1 SiC沟槽mosfet可帮助电动汽车制造商打造11kW和22kW双向车载充电器，提高效率、功率密度和可靠性。这些器件在高温(T(j,max) +175°C)下可靠地工作，具有英飞凌的专有技术。XT模具贴附技术，在同等尺寸的模具上实现最佳的热阻抗。

CoolSiC 750V G1技术提供非常高的鲁棒性，特别是对宇宙辐射，使其非常适合大于500V的母线电压。由于具有出色的抗杂散导通能力，这些器件可以用零伏V(GS)台下电压(单极栅极驱动器)安全地驱动，从而降低了系统复杂性、PCB面积占用和BOM数量。宽栅极源电压额定值(-5V至23V, V(GS)静态)确保与双极驱动的兼容性，以增加设计灵活性。

这款CoolSiC 汽车MOSFET 750V G1系列具有非常细粒度的产品组合，R(DS(on))(典型+25°C)从8毫欧到140毫欧，并提供7引脚D2PAK和QDPAK顶部冷却(TSC)封装。jedec发布的QDPAK TSC封装有助于最大限度地利用PCB空间，使功率密度加倍，并通过基板热去耦增强热管理。顶部冷却封装显著减少了设计冷却基础设施的工作量，是实现最高功率密度的关键。