Vishay的多功能30v n通道TrenchFET Gen V功率MOSFET采用3.3 mm × 3.3 mm PowerPAK 1212-F封装，采用源翻转技术。SiSD5300DN与PowerPAK 1212-8S占用相同的空间，导通电阻降低18%以提高功率密度，而其源翻转技术将热阻降低了+63°C/W至+56°C/W。此外，MOSFET的FOM比上一代器件提高了35%，从而降低了传导和开关损耗，从而节省了功率转换应用中的能量。

PowerPAK1212-F源翻转技术颠覆了通常的地垫和源垫的比例，扩展了地垫的面积，提供更有效的散热路径，从而促进更冷的运行。同时，PowerPAK 1212-F最大限度地减少了开关面积，有助于减少迹线噪声的影响。特别是在PowerPAK 1212-F封装中，源垫尺寸增加了10倍，从0.36 mm增加到4.13 mm，从而使热性能得到相应的改善。PowerPAK1212-F的中心栅极设计也简化了单层PCB上多个器件的并行化。