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ROHM SEMICONDUCTOR RF6G035BG

ROHM半导体RF6G035BG功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-02-19

摘要： 特性40V VDSS，±3.5A ID, 46毫欧低导通电阻(RDS(on))， 1W功耗(PD)。

ROHM Semiconductor RF6G035BG功率MOSFET具有40V漏源电压(V(DSS))和±3.5A连续漏极电流(I(D))。该n沟道MOSFET提供46毫欧低导通电阻(R(DS(on))和1W (P(D))的功耗。RF6G035BG MOSFET工作在-55°C至150°C的工作结和存储温度范围内，采用无卤素小型表面贴装封装(TUMT6或SOT-363T)。这款符合rohs标准的设备包含无铅电镀。RF6G035BG功率MOSFET适用于开关，电机驱动和DC/DC转换器应用。

特性

低导通电阻
无铅电镀，符合rohs标准

小型表面贴装封装(TUMT6/SOT-363T)
无卤

规范

漏源极电压(V(DSS))
±20V栅源电压(V(GSS))
-55°C至150°C工作结和存储温度范围

46 毫欧R (DS(上)(最大)
±3.5A连续漏极电流(I(D))
1W功耗(P(D))

应用程序

马达驱动器
切换

直流/直流转换器

维图

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