摘要: 单通道,专为单光子的超灵敏精密测量而设计。
Broadcom AFBR-S4N22P014M NUV-MT光电倍增管阵列专为单光子的超灵敏精密测量而设计。这种硅光电倍增管(SiPM)阵列是基于NUV-MT技术。AFBR-S4N22P014M SiPM阵列具有出色的SPTR和CRT。该光电倍增管阵列还提供了优异的击穿电压和器件之间的增益均匀性。AFBR-S4N22P014M SiPM阵列包括一个高度透明的环氧保护层,在可见光光谱中产生广泛的响应,对蓝色和近紫外区域具有高灵敏度。该光电倍增管阵列工作在-20°C至60°C的工作温度范围内,符合RoHS, CFM和REACH标准。典型的应用包括x射线和伽马射线探测、核医学、正电子发射断层扫描、安全和安保、物理实验和切伦科夫探测。
在420nm处,光电探测效率高达63%
4面瓷砖,具有高填充系数
40μm单元间距
高透明环氧保护层
工作温度范围-20℃~ 60℃
单通道
优异的SPTR和CRT
器件间击穿电压和增益均匀性好
符合RoHS, CFM和REACH标准
最高焊接温度245°C
2kV最大静电放电电压能力(HBM)
500V最大静电放电电压能力(CDM)
最大工作过电压16V
每个元件的典型暗电流为0.98µA
32.5V典型击穿电压
420nm典型峰值灵敏度波长
160pF典型标称端子电容
55ns典型充电时间常数
2.7mm x 2.5mm包装尺寸
x射线和伽马射线探测
核医学
正电子发射断层扫描
安全与保障
物理实验
切伦科夫检测
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