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STMICROELECTRONICS SGT120R65AL

意法半导体SGT120R65AL 650V e型功率晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-02-18

摘要： 650V, 15A功率晶体管与开尔文源连接，最佳栅极驱动。

意法半导体SGT120R65AL 650V E-Mode power - gan晶体管提供15A的最大电流能力，结合完善的封装技术和开尔文源连接，实现最佳栅极驱动。由此产生的G-HEMT器件具有极低的传导损耗、高电流能力和超快速的开关操作，可实现高功率密度和无与伦比的效率。SGT120R65AL采用行业标准PowerFLAT 5×6高压紧凑型表面贴装封装。典型的应用包括PC适配器、USB墙壁充电器和无线充电。

特性

增强模式常关晶体管
非常高的开关速度
高功率管理能力
极低的电容

开尔文源垫最佳栅极驱动
零反向回收费用
PowerFLAT 5x6 HV包用于PowerGaN

应用程序

电脑适配器
USB墙壁充电器
无线充电器

规范

漏源电压范围650V至750V
-10V至7V门源电压范围
9A至15A连续漏极电流范围
36A脉冲漏电流
6.25W ~ 192W总功耗范围

-55°C ~ +150°C温度范围
热阻

0.65°C / W Junction-to-case
20°C / W Junction-to-board

应用电路

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