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nsm071 - 100nse n通道ASFET的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2024-03-04

摘要: 专为继电器更换,浪涌管理和电池管理应用。

安派瑞PSMN071-100NSE n通道ASFET专为继电器更换、浪涌管理和电池管理应用而设计。该ASFET包括一个增强的安全操作区域(SOA),用于优越的线性模式操作。PSMN071-100NSE n沟道ASFET提供低漏源导通状态电阻,具有低I(2)R导通损耗。该ASFET的最大漏源电压为100V,最大漏源电流为9.8A,最大总功耗为31W,最大结温为175℃。PSMN071-100NSE n通道ASFET采用紧凑的2mm x 2mm DFN2020封装,具有增强的SOA。除此之外,其他值得注意的应用包括IEEE802.3at和专有PoE解决方案、WIFI 热点、5G皮蜂窝和CCTV。


特性

  • 增强的安全操作区域(SOA)为优越的线性模式操作

  • 低漏源导通状态电阻低I(2)R导通损耗

  • 2mm × 2mm节省空间的DFN2020封装

  • 极低漏极漏电流

  • 欧盟/ CN通过无铅认证


规范

  • 最大漏源电压100V

  • 9.8A最大漏极电流

  • 最大总功耗31W

  • 最大非重复雪崩电流

  • 175°C最高结温

  • 260°C峰值焊接温度


应用程序

  • IEEE802.3at和专有PoE解决方案

  • 侵入管理

  • eFuse应用程序

  • 电池管理应用

  • 继电器替代

  • WIFI热点

  • 5克微微细胞

  • 中央电视台


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