onsemi NTMFS005P03P8Z单p沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-03-06

摘要： 提供-30V漏源电压，2.7毫欧 10V导通电阻和164A漏源/待机电流。

onsemi NTMFS005P03P8Z单p通道功率MOSFET是功率负载开关，电池管理和保护(反向电流，过压和反向负电压)的理想选择。NTMFS005P03P8Z在-55°C至+150°C结温范围内工作，提供-30V漏源电压，10V导通电阻2.7毫欧和164A漏源/待机电流。onsemi NTMFS005P03P8Z封装在5mm x 6mm SO8-FL封装中，采用先进的封装技术，节省空间并具有优异的导热性。

特性

超低R(DS(on))，提高系统效率
先进的封装技术，节省空间和优良的导热性

5mm x 6mm, SO8-FL封装
不含铅，不含卤素/ bfr，符合rohs标准

应用程序

保护

反向电流
过电压
反向负电压

电力负载开关
电池管理

规范

-30V最大漏源电压
±25V最大栅源电压
-11A至-164A最大连续漏极电流范围
0.9W至104W的最大功耗范围
-597A最大脉冲漏极电流
-1.0µA最大零栅极电压漏极电流
±10µA最大栅源泄漏电流
165.8mJ最大单脉冲漏源雪崩能量
2.7毫欧至4.4毫欧最大漏源电阻范围
87S典型正向跨导
183nC典型总栅电荷
典型反向恢复时间为57ns

典型充电时间34ns
典型放电时间23ns
77nC典型反向回收装药
典型的电容

7880 pf输入
2630 pf输出
2550pF反向传递

最大稳态热阻

1.2°C / W junction-to-case
40°C/W至137°C/W连接至环境范围

-55℃~ +150℃工作结温范围

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