onsemi的SiC mosfet提高了对意外输入电压峰值或振铃的鲁棒性

专为通用放大器应用而设计，具有低VCE< 0.5 v。

基于AXM0F343超低功耗无线SoC的256KB版本的868MHz开发平台。

onsemi公司的str - ncp45560 - ecswitch - gevb与Strata一起用于控制ecswitch和监测遥测技术

onsemi NCP1622功率因数控制器可以驱动PFC升压级，并基于创新的谷同步频率折叠(VSFF)方法。

高温单通道收发器，兼容FlexRay 电物理层。

onsemi的电路板与Strata一起用于控制不同的传感器，并监测增益和阈值设置等遥测数据

-0.1V至40V宽共模输入范围，具有单向和双通道。

onsemi的熔断器通过防止损坏连接器、PCB轨迹和下游组件来进行保护

高电压控制器，可根据开关从一种工作模式转换到另一种工作模式。

onsemi的STR-NCV6357-GEVB eval板具有PFM和PPWM操作自动过渡，是汽车和工业级的

80V, 13.9毫欧和40A单n沟道MOSFET采用紧凑高效的设计。

具有低输入失调电压的高性能恒流和恒压放大器。

提供3.0A以上的输出电流，满载时的降压为75mV。