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onsemi的NVHL n通道EliteSiC MOSFET在微型TO-247-3封装中提供闪电般的快速转换和卓越的可靠性。
提供电压调节保护,是理想的情况下,空间是宝贵的。
-0.1V至40V宽共模输入范围,具有单向和双通道。
专为通用放大器应用而设计,具有低VCE< 0.5 v。
80V, 13.9毫欧和40A单n沟道MOSFET采用紧凑高效的设计。
具有高热性能和低RDS(on),以尽量减少传导损失。
1A LDO稳压器具有高PSRR,低噪声/静态电流和功率良好的开路集电极输出。
500mA LDO稳压器具有下一代高PSRR和功率良好的开路集电极输出。
具有低输入失调电压的高性能恒流和恒压放大器。
采用先进的第7代IGBT技术,采用TO247三导联封装。
设计用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。
提供卓越的开关性能、高可靠性/效率和更高的功率密度。
具有温度无关开关和优异的热性能。
提供优越的开关性能和更高的可靠性比硅在TO-247-3LD封装。
特点施密特触发器在SC-88封装,设计为1.65V至5.5V VCC操作。
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