熔丝，提高了硬盘的可靠性，从灾难性和关机故障。

1A LDO稳压器具有高PSRR，低噪声/静态电流和功率良好的开路集电极输出。

设计用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关的快速开关。

设计的NCP1118x高度增强开关集成峰值电流模式PWM控制器。

高度集成的USB电源传输(PD)电源和控制器。

200V高速半桥驱动器，用于全桥或半桥应用的GaN功率开关。

高电压控制器，可根据开关从一种工作模式转换到另一种工作模式。

它们在内部被组织为16个页面，每个页面16字节，每个页面256字节，每个8位。

80V, 13.9毫欧和40A单n沟道MOSFET采用紧凑高效的设计。

采用低QRR和软恢复体二极管，降低开关损耗。

代表了PowerTrench技术的进步，特别是从T6到T10。

500mA LDO稳压器具有下一代高PSRR和功率良好的开路集电极输出。

650V, 60毫欧(类型)和47A单n沟道MOSFET采用紧凑高效的设计。