onsemi superet V mosfet是第五代高压超级结(SJ) mosfet。这些器件提供了最好的性能值(FoMs) (R(DS(ON))·Q(G)和R(DS(ON))·E(OSS))，不仅可以提高高负载，还可以提高轻负载效率。600V超et V MOSFET通过降低导通和开关损耗提供设计优势，同时支持120V/ns的MOSFET极值dV(DS)/dt额定值。超et V MOSFET FAST系列有助于最大限度地提高系统效率和功率密度。超et V MOSFET Easy Drive系列结合了卓越的开关性能，而不牺牲硬开关和软开关拓扑的易用性。典型的应用包括电信、云系统和工业。

特性

• 低开关损耗

• 100%雪崩测试

• 600 v (DSS) drain-to-source电压

• 650v @ t (j) = 150°c

• 优秀的系统效率

• 通过无铅认证

• NTHL041N60S5H功率MOSFET:

• 快速的开关性能与强大的体二极管

• 108nC(典型)超低栅电荷(Q(g))

• 643pF(典型)低有效输出电容

• 32.8欧姆R (DS(上)(典型的)

• NTHL099N60S5功率MOSFET:
  

• 优化电容

• 48nC(典型)超低栅电荷(Q(g))

• 642pF(典型)低时间相关输出电容

• 79.2欧姆R (DS(上)(典型的)

应用程序

• 电信

• 服务器电源

• 云系统

• 联合包裹

• 工业电源

• 电动汽车充电器