onsemi PowerTrench技术的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-06-26

摘要： 代表了PowerTrench技术的进步，特别是从T6到T10。

onsemi PowerTrench Technology代表了PowerTrench技术的进步，特别是从T6到T10，这标志着电力电子技术的突破。PowerTrench mosfet由onsemi开发，可在各种应用中提供更高的效率和性能。从T6/T8到T10的转变显著提高了导通电阻和开关性能，这对于节能设计至关重要。

特性

降低高频率的开关损耗，最大限度地减少高频开关过程中作为热量损失的能量
在给定的功率水平下，更好的散热减少了热量的产生
较低的R(DS(on))改善了导通损耗，减少了导通状态时的电阻，降低了导通功率损耗
更小、更高功率密度的封装支持更紧凑电子设计的趋势
通过aec认证的40V至80V T10 mosfet符合严格的汽车标准

与上一代相比，Rsp降低30%至40%，通过降低比电阻提高功率密度
Q(g)、Q(sw)、Q(损耗)降低2倍，降低开关损耗，提高效率
较软的恢复二极管和较低的Q(rr)减少振铃、超调和EMI/噪声
10%更高的美国能力允许在特定条件下更大的电流

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