电子元器件产业互联网平台
电子元器件产业互联网平台
一站式电子元器件采购平台
元器件移动商城，随时随地采购
半导体行业观察第一站！
专注电子产业链，
坚持深度原创
电子元器件原材料采购
信息平台
摘要： 80V, 13.9毫欧和40A单n沟道MOSFET采用紧凑高效的设计。
onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET是一款80V, 13.9毫欧和40A单n沟道MOSFET，采用紧凑高效的设计，具有高热性能。该MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化传导损耗和低电容以最小化驱动器损耗。NVTYS014N08HL功率MOSFET通过AEC-Q101认证，具有ppap能力。该MOSFET适用于反向电池保护，电源开关，开关电源和其他汽车应用。
占地面积小(3.3mm x 3.3mm)，设计紧凑
低R(DS(ON))，最小化传导损耗
低电容，最大限度地减少驱动器损耗
80V漏极到源电压(V(DSS))
40A连续漏极电流(I(D)) @T(C) = 25℃
13.9毫欧漏极到源极导通电阻(R(DS(on)))
LFPAK33包
通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
无铅，符合rohs标准
电池反保护
电源开关(如高侧驱动器、低侧驱动器和h桥)
电磁阀驱动
电机控制
负荷开关
开关电源
社群二维码
关注“华强商城“微信公众号
Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号 经营许可证：粤B2-20210308
