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ONSEMI NVMYS9D3N06CL

onsemi NVMYS9D3N06CL功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-02-29

摘要： 60V, 9.2毫欧和50A单n沟道MOSFET采用紧凑高效的设计。

onsemi NVMYS9D3N06CL功率MOSFET是一款60V, 9.2毫欧和50A单n沟道MOSFET，采用紧凑高效的设计，具有高热性能。该MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化传导损耗和低栅极电荷(Q(G))和电容以最小化驱动器损耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET通过aec - q101认证，支持ppap。该MOSFET适用于反向电池保护、电源开关、开关电源和其他需要增强板级可靠性的汽车应用。

特性

占地面积小(5mm x 6mm)，设计紧凑
低R(DS(ON))，最小化传导损耗
低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗
60V漏极到源电压(V(DSS))
50A连续漏极电流(I(D)) @T(C) = 25℃

9.2毫欧漏极到源极导通电阻(R(DS(on)))
LFPAK4封装，行业标准
通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
无铅，符合rohs标准

应用程序

电池反保护
电源开关(如高侧驱动器、低侧驱动器和h桥)
电磁阀驱动

电机控制
负荷开关
开关电源

包的尺寸

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