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onsemi的M3S EliteSiC MOSFET具有优化的性能,可用于快速开关应用,最大限度地提高效率并最大限度地减少能量损失。
标准40V栅极级功率MOSFET,导通电阻,适用于电机驱动应用。
紧凑设计,2相,双半桥,80V汽车功率MOSFET模块。
同时监控两个高压电源,工作电压为28V。
保护电压敏感元件的ESD与一流的箝位,低漏电。
onsemi的NCV8189 0.5 A低噪声线性稳压器在极小的占地面积下提供强大的功率,使其成为空间受限设计的理想选择。
onsemi的NTBG040N120M3S 1200 V M3S SiC MOSFET在18 V栅极驱动下实现峰值效率,并在15 V时保持令人满意的性能。
提供-30V漏源电压,2.7毫欧 10V导通电阻和164A漏源/待机电流。
onsemi的1700 V M1 SiC mosfet可以轻松处理负栅极电压和尖峰,以满足高速需求。
onsemi的NCV8877升压控制器可承受极端温度,振动和电气噪声,使其成为汽车应用的理想选择。
onsemi的FGY140T120SWD 1200 V, 140 A场停止VII (FS7)快速分立IGBT采用TO247-3L封装,是太阳能,UPS和ESS应用的理想选择。
onsemi的FUSB15200的DRP技术可以让设备在提供和接收电力之间无缝切换,使其成为终极充电变色龙。
onsemi的NCN2600以太网收发器是用于工业多点以太网的单芯片解决方案。
onsemi的AR0130 CMOS高级数字图像传感器有助于捕捉惊人的120万像素视频和照片。
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