500mA LDO稳压器具有下一代高PSRR和功率良好的开路集电极输出。

650V, 60毫欧(类型)和47A单n沟道MOSFET采用紧凑高效的设计。

onsemi的STR-NCV6357-GEVB eval板具有PFM和PPWM操作自动过渡，是汽车和工业级的

提供低开关损耗，封装在TO247-4LD封装中，用于低共源电感。

80V, 13.9毫欧和40A单n沟道MOSFET采用紧凑高效的设计。

具有4.5A源和9A汇聚峰值电流，具有短和匹配的传播延迟。

具有低输入失调电压的高性能恒流和恒压放大器。

设计用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关的快速开关。

onsemi的套件包括一个Zigbee 协调器(ZC) USB设备和两个能量收集节点

提供3.0A以上的输出电流，满载时的降压为75mV。

915MHz开发平台基于64KB版本的AXM0F343超低功耗无线SoC。

单侧冷却模块，平板底板，用于汽车750V和660A实现电流。

单n沟道MOSFET采用5mm x 6mm LFPAK封装，设计紧凑高效。