onsemi NVMYS3D8N04CL功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-03-12

摘要： 单n沟道MOSFET采用5mm x 6mm LFPAK封装，设计紧凑高效。

onsemi NVMYS3D8N04CL功率MOSFET是一款单n沟道MOSFET，设计紧凑，高效，具有高热性能。该功率MOSFET工作在40V漏源电压，3.7毫欧漏极电阻和87A连续漏极电流下。NVMYS3D8N04CL n沟道MOSFET通过AEC-Q101认证，支持PPAP，适用于需要增强板级可靠性的汽车应用。该设备不含铅，符合RoHS标准。NVMYS3D8N04CL是理想的反向电池保护电源开关，开关电源，电磁驱动器，电机控制和负载开关。

特性

小占地5mm x 6mm紧凑的设计
低R(DS(on))，最小化传导损耗
低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗
40V(DSS)漏源电压

3.7毫欧漏阻
LFPAK4封装行业标准
通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
设备无铅，符合RoHS标准

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