onsemi M3S 1200V碳化硅(SiC) mosfet为快速开关应用而优化。该平面技术可靠地工作在负栅电压驱动和关断尖峰栅上。onsemi M3S 1200V mosfet在18V栅极驱动下提供最佳性能，但在15V栅极驱动下也能很好地工作。M3S提供了低开关损耗，封装在TO247-4LD封装中，具有低共源电感。

特性

• 用于低共源电感的TO247-4LD封装

• 15V到18V栅极驱动器

• 22mohm R(DS(ON)) M3S技术，具有低EON和EOFF损耗

• 100%雪崩测试

• EON减少损失

• 18V的最佳性能;15V兼容IGBT驱动电路

• 提高功率密度

• 提高了对意外输入电压峰值或振铃的鲁棒性

应用程序

• 交直流转换

• 直粱转换

• 直流-直流转换

• 终端产品
  

• 联合包裹

• 电动汽车充电器

• 太阳能逆变器

• 能量存储系统

内部线路图