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摘要： 采用低QRR和软恢复体二极管，降低开关损耗。
onsemi NTMFWS1D5N08X单n沟道MOSFET采用低QRR和软恢复体二极管，降低了开关损耗。onsemi NTMFWS1D5N08X具有低R(DS)，可最大限度地减少导通损耗，确保高效运行。此外，其低QG和电容有助于最大限度地减少驱动器损耗。这些mosfet是无铅，无卤素/无溴化阻燃，并符合RoHS标准。
低QRR，软恢复体二极管
低R(DS(on))，最小化传导损耗
低QG和电容，最大限度地减少驱动器损耗
无铅，无卤素/无溴化阻燃，符合rohs标准
DC-DC和AC-DC同步整流(SR)
隔离型DC-DC变换器的主开关
马达驱动器
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