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摘要： onsemi的SiC mosfet提高了对意外输入电压峰值或振铃的鲁棒性
onsemi的 1200v M3S平面SiC mosfet是优化的快速开关应用。平面技术可靠地工作在负栅极电压驱动和关闭栅极尖峰。该系列具有最佳的性能时，与18v门驱动器，但也工作良好的15v门驱动器。
特性
用于低共源电感的TO247-4LD封装
15v到18v门驱动器
M3S技术:22 毫欧 R(DS(ON))具有低E(ON)和E(OFF)损耗
100%雪崩测试
减少E(上)的损失
18v的最佳性能;15v兼容IGBT驱动电路
提高功率密度
提高了对意外输入电压峰值或振铃的鲁棒性
应用程序
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