Microchip Technology的碳化硅(SiC)半导体为电力电子设计师提供了一种创新的选择，他们希望在工业、交通/汽车、医疗、航空航天/航空、国防和通信应用中寻求提高系统效率、更小的形状因子和更高的工作温度。下一代SiC mosfet和SiC sdd在额定导通电阻或电流下具有更高的重复非箝位感应开关(UIS)能力。这些SiC mosfet保持高UIS能力约10焦耳到25焦耳每平方厘米(J/cm(2))和强大的短路保护。Microchip公司的SiC肖特基势垒二极管(SBDs)在低反向电流下具有平衡的浪涌电流、正向电压、热电阻和热电容额定值，以降低开关损耗。此外，SiC MOSFET和SiC SBD模具可以配对使用模块。Microchip公司的SiC MOSFET和SiC SBD产品将符合AEC-Q101标准。

特性

• 极低的开关损耗提高了系统效率

• 功率密度高，占地面积小，减少体积和重量

• 导热性比硅高3倍

• 减少水槽要求，实现更小的尺寸和更轻的重量

• 高温运行提高了功率密度下的可靠性

• 经过验证的可靠性/坚固性、供应链和微芯片质量、供应和支持

应用程序

• 工业:电机驱动，焊接，UPS, SMPS，感应加热

• 交通/汽车:电动汽车(EV)电池充电器，车载充电器，混合动力电动汽车(HEV)动力总成，DC-DC转换器，能量回收

• 智能能源:光伏逆变器、风力涡轮机

• 医疗:MRI电源、x光电源

• 商用航空:驱动、空调、配电

• 防御:电机驱动器，辅助电源和集成车辆系统