onsemi MSD1819A-R通用低电压干扰晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-01-31

摘要： 专为通用放大器应用而设计，具有低VCE< 0.5 v。

onsemi MSD1819A-R通用低电压(CE)晶体管专为放大器应用而设计。这种NPN晶体管具有从210到460的高电流增益(h(FE))和小于0.5V的低电压(CE)。NPN晶体管采用SC-70/SOT-323封装，专为低功耗表面贴装应用而设计。硅外延平面晶体管是AEC-Q101合格和PPAP能力。这种低电压(CE)晶体管不含铅和卤素/ bfr。典型应用包括反向电池保护，DC-DC转换器输出驱动和高速开关。

特性

湿度敏感度等级1 (MSL 1)
ESD保护:

人体模型大于4000V
整机型号大于400V

通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力

不含铅和卤素/BFR
通过无铅认证

规范

高(FE)， 210 ~ 460
低电压(CE(sat))小于0.5V
60V(DC)集电极基极和集电极发射极电压
7V发射极电压

150mW功率损耗
集电极电流:

100mA(直流)-连续
200mA(直流)-峰值

150°C结温

应用程序

电池反保护
DC-DC变换器输出驱动器

高速开关

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