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摘要： 针对快速开关应用优化的1200V M3S平面SiC MOSFET。
onsemi NVHL070N120M3S EliteSiC汽车碳化硅(SiC) MOSFET是一款针对快速开关应用进行了优化的1200V M3S平面器件。平面技术可靠地工作与负栅极电压驱动和关断尖峰的栅极。该器件在18V栅极驱动器驱动时提供最佳性能，但在15V栅极驱动器下也能很好地工作。
超低栅极电荷
低电容高速开关
- 247 - 3 - l包
100%雪崩测试
通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
无卤化物和符合RoHS豁免7a，无铅2LI(第二级互连)
车载充电器
用于EV/HEV的汽车DC-DC转换器
断开的
最小漏源击穿电压1200V
0.3V/℃典型漏源击穿电压温度系数
100µA最大零栅极电压漏极电流
±1µA最大栅源漏电流
使用状态
2.04V至4.4V栅极阈值电压
-3V至18V推荐栅极电压范围
65毫欧到136毫欧典型的漏源电阻
12S正向跨导
电荷、电容和栅极电阻
1230pF典型输入电容
典型输出电容57pF
5pF典型反向转移电容
57nC典型总栅极电荷
3.2nC典型阈值栅电荷
9.6nC典型栅源电荷
17nC典型栅极-漏极电荷
4.3欧姆典型栅极电阻
切换
典型导通延迟时间为10ns
典型上升时间为24ns
典型关断延迟时间为29ns
9.6ns典型下降时间
254µJ典型导通开关损耗
46µJ典型关断开关损耗
300µJ典型总开关损耗
Source-drain二极管
31A最大连续正向电流
98A最大脉冲正向电流
4.7V典型正向二极管电压
典型反向恢复时间为14ns
57nC典型反向回收电荷
3.1µJ典型反向回收能量
8.2A典型峰值反向恢复电流
7.7ns典型充电时间
典型放电时间6.2ns
最大热阻
0.94°C / W junction-to-case
40°C / W junction-to-ambient
-55°C至+175°C工作结温范围
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