摘要: 为SSR应用中的各种MOSFET和IGBT开关提供电隔离栅驱动。
英飞凌固态隔离器(SSI)为SSR应用中的各种MOSFET和IGBT开关提供电隔离栅极驱动器。这些器件能够创建能够控制超过1000V和100A负载的定制固态继电器。基于ct的隔离器使能量能够跨越隔离屏障传输,并且可以驱动大型mosfet或igbt,而无需在隔离侧增加电源电路。创新的保护功能使设计可靠和强大的固态继电器成为可能。
ssi通过电隔离屏障提供强大的能量传输,以驱动mos控制功率晶体管的栅极,如CoolMOS ,OptiMOS ,CoolSiC 或TRENCHSTOP IGBT。固态隔离器系列的输出端不需要专用电压电源来驱动功率晶体管的栅极。输出端提供先进的控制功能,如快速接通,快速关断,过流保护和过温保护,可以轻松/安全地为各种应用建立固态继电器。该系列包括iSSI30R12H,专为CoolMOS S7 T-Sense功率mosfet量身定制,提供集成温度传感器。该系列的其他部分用于外部PTC电阻。
提供精确的保护功能,以建立具有成本效益的系统。隔离器的输入端是3.3V兼容,并与16mA(典型)的电源电流工作。iSSI20R02H、iSSI20R03H和iSSI20R11H型号采用DSO-8-66封装,而iSSI30R11H和iSSI30R12H采用DSO-16-33封装。
采用英飞凌无芯变压器技术的固态隔离器
栅极驱动不需要隔离栅极偏置电源
与CoolMOS, OptiMOS和TRENCHSTOP igbt完美匹配
低功耗,大输入电压范围从2.6V到3.5V(内夹)
高阻抗,CMOS输入(缓冲变体)
输出电压高达18V,无需串联或并联配置即可实现强大的栅极驱动
高输出峰值电流
185µA(直接驱动型)
400mA(缓冲型)
快速打开/关闭安全开关的SOA操作
高达5.7kV(RMS)的电流隔离
温度传感器和电流传感器保护输入
故障事件(过流或过温)时闭锁
动态米勒夹紧保护
宽体封装,具有高爬电和高间隙,符合UL 1577(计划),并根据IEC 60747-17(计划)加强隔离
最大限度地减少对散热器的需求
消除虚假接触开启
固态继电器交流和直流应用
机电继电器更换
可编程逻辑控制,工业自动化和控制
智能建筑和家庭自动化系统(恒温器、照明、加热控制)
仪器设备
±1200V最大输入输出偏置电压
-10V至4.25V最大输入电源电压
-10V ~ 15V最大输入逻辑电压
0mA至120mA最大输入电源电流
200mW最大功耗输入部分
4.5mW最大功耗输出部分
2kHz最大开关频率
最大共模暂态抗扰度200V/ns
环境温度范围-40℃~ +125℃
结温范围-40℃~ +150℃
ESD的鲁棒性
2kV最小人体模型(HBM)
tc1000充电器件模型(CDM)符合ANSI/ESDA/JEDEC-JS-002-2014 (TC =根据AEC-Q100-011 Rev D通过的最高测试条件)
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