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摘要： 在150V和200V雨源击穿电压下工作，适用于恶劣环境。
MCC 150V/200V n沟道功率mosfet专为恶劣环境而设计，可在150V(ds)和200V(ds)漏源击穿电压下工作。这些mosfet为各种工业和消费设备提供卓越的热性能和强大的功率处理。150V/200V n沟道功率mosfet具有最佳性能和效率，包括低R(DS)，高功率密度，并利用分闸沟槽(SGT)技术。这些功率mosfet是无卤素的，符合UL 94V-0可燃性等级，并符合无铅/RoHS标准。150V/200V n沟道功率mosfet采用D(2)PAK和TOLL封装，可增强耐用性和操作性。这些n沟道功率mosfet是工业、消费电子和计算应用的理想选择。
分栅沟槽MOSFET技术
良好的散热包装
水分敏感等级1
-55℃~ 150℃工作结温范围
低R(DS(on))，高效的电源处理
D(2)PAK和TOLL封装是高功率密度封装，可增强耐用性
优异的散热性能，可在高温环境下稳定运行
优异的抗噪性，增强系统稳定性
专为恶劣的工业条件
无卤“绿色”设备
环氧树脂符合UL 94V-0可燃性等级
无铅涂料/符合RoHS标准(“P”后缀表示符合RoHS标准)
工业:
电池管理系统
电力供应
电机控制
电动工具
消费电子:
电池管理系统
电动工具
园林工具
计算:
电力供应
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