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TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM600NA25CIT

台积电TSM600NA25CIT n沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-03-25

摘要： 22A, 250V低压，单配置MOSFET采用Trench技术。

台积电TSM600NA25CIT n沟道功率MOSFET是采用Trench技术构建的250V低压单配置MOSFET。该MOSFET具有22A连续漏极电流，60毫欧漏极源电阻，78W功耗和71nC栅极电荷。TSM600NA25CIT MOSFET提供22pF反向传输电容，无铅，无卤素，符合RoHS标准。该功率MOSFET是不间断电源(UPS)、交直流电源和照明应用的理想选择。

特性

单配置和n沟道MOSFET
槽技术
250V漏源极低电压(V(DS))
22A连续漏极电流(I(D)) @ (T(C)=25°C)
60毫欧低漏源电阻(R(DS(ON)))(最大值)
71nC低栅电荷(Q(g))(典型)
22pF低反向转移电容(C(rss))(典型)
78W功耗(P(d))

工作温度范围-55℃~ 150℃
通过无铅认证
Pb-free
无卤
隔离电压2500V/1min
ito - 220 tl包

应用程序

不间断电源(UPS)
交直流供电
照明

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