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Broadcom APML-600JV/JT Photo mosfet的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2024-03-28

摘要: 专为汽车应用而设计的高压汽车光电mosfet。

Broadcom APML-600JV/JT光电mosfet是专为汽车应用而设计的高压光电mosfet。这些mosfet由AlGaAs红外发光二极管(LED)输入级组成,该输入级光学耦合到高压输出检测器电路。该检测器由高速光伏二极管阵列和驱动电路组成,用于开关两个分立的高压mosfet。APML-600JV/JT光电MOSFET通过输入LED以1.5mA的最小输入电流接通(触点闭合)。当输入电压为0.4V或更低时,光电MOSFET关闭(触点断开)。APML-600JV/JT mosfet具有紧凑的固态双向信号开关,并通过AEC-Q101认证。APML-600JV/JT mosfet具有增强的绝缘和可靠性,可在汽车和高温工业应用中提供安全的信号隔离。理想情况下,这些mosfet用于电池绝缘电阻测量/漏电检测和电池管理系统(BMS)。


特性

  • 紧凑的固态双向信号开关

  • AEC-Q101合格

  • 汽车温度范围:

    • APML-600JV: T(A) = -40℃至105℃

    • APML-600JT: T(A) = -40°C至125°C

  • 1500V击穿电压V(O(OFF))在I(O(OFF)) = 250μA时

  • Avalanche-rated场效电晶体

  • 低断态漏电流:

    • APML-600JV: I(O(OFF))小于500nA @ V(DS) = 1000V

    • APML-600JT: I(O(OFF))小于1000nA @ V(DS) = 1000V

  • 导通电阻:I(O) = 1mA时R(ON)小于900欧姆

  • 导通时间:T(ON)小于2.0ms

  • 关断时间:T(OFF)小于0.5ms

  • 300mil SO-16封装

  • 漏电和间隙≥8mm(输入-输出)

  • 漏电大于5mm (mosfet漏极引脚之间)

  • 安全和监管批准:

    • Iec / en / din en 60747-5-5

    • 最大绝缘工作电压1414V(峰值)

    • UL/cUL 1577, 5000V(RMS) 1分钟


应用程序

  • 电池绝缘电阻测量/漏电检测

  • 电池管理系统(BMS)


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