第四代碳化硅SCT mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-04-01

摘要： 罗姆的第四代碳化硅mosfet旨在为苛刻的应用提供无与伦比的效率和性能。

罗姆第四代SCT mosfet是革命性的碳化硅(SiC)功率器件，旨在为苛刻的应用提供无与伦比的效率和性能。利用SiC技术的固有优势，SCT mosfet比传统的硅mosfet具有显著的优势。它们具有优越的击穿电压，可以承受更高的电压，实现紧凑的系统设计。它们具有超低导通电阻(R(DS(ON))，可降低传导损耗并提高能效，同时具有高速开关，可实现更快的开关频率并最大限度地减少开关损耗。这些mosfet具有优异的热性能和在更高的温度下工作，以提高系统的可靠性。

特性

击穿电压范围:650v ~ 1700v
漏极电流范围:3.7 A至70a
低R (DS(上))
高速开关

风力发电变流器
数据中心电源
工业自动化设备
焊接设备
电池充电器
高性能音频放大器
飞机动力系统

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